大功率LED封裝主要涉及光、熱、電、結(jié)構(gòu)與工藝等方面，如圖1所示。這些因素彼此既相互獨立，又相互影響。其中，光是LED封裝的目的，熱是關(guān)鍵，電、結(jié)構(gòu)與工藝是手段，而性能是封裝水平的具體體現(xiàn)。從工藝兼容性及降低生產(chǎn)成本而言，LED封裝設(shè)計應與芯片設(shè)計同時進行，即芯片設(shè)計時就應該考慮到封裝結(jié)構(gòu)和工藝。否則，等芯片制造完成后，可能由于封裝的需要對芯片結(jié)構(gòu)進行調(diào)整，從而延長了產(chǎn)品研發(fā)周期和工藝成本，有時甚至不可能。

　　具體而言，大功率LED封裝的關(guān)鍵技術(shù)包括：

　　一、低熱阻封裝工藝

　　對于現(xiàn)有的LED光效水平而言，由于輸入電能的80%左右轉(zhuǎn)變成為熱量，且LED芯片面積小，因此，芯片散熱是LED封裝必須解決的關(guān)鍵問題。主要包括芯片布置、封裝材料選擇(基板材料、熱界面材料)與工藝、熱沉設(shè)計等。

　　LED封裝熱阻主要包括材料(散熱基板和熱沉結(jié)構(gòu))內(nèi)部熱阻和界面熱阻。散熱基板的作用就是吸收芯片產(chǎn)生的熱量，并傳導到熱沉上，實現(xiàn)與外界的熱交換。常用的散熱基板材料包括硅、金屬(如鋁，銅)、陶瓷(如 ，AlN，SiC)和復合材料等。如Nichia公司的第三代LED采用CuW做襯底，將1mm芯片倒裝在CuW襯底上，降低了封裝熱阻，提高了發(fā)光功率和效率;Lamina Ceramics公司則研制了低溫共燒陶瓷金屬基板，如圖2(a)，并開發(fā)了相應的LED封裝技術(shù)。該技術(shù)首先制備出適于共晶焊的大功率LED芯片和相應的陶瓷基板，然后將LED芯片與基板直接焊接在一起。由于該基板上集成了共晶焊層、靜電保護電路、驅(qū)動電路及控制補償電路，不僅結(jié)構(gòu)簡單，而且由于材料熱導率高，熱界面少，大大提高了散熱性能，為大功率LED陣列封裝提出了解決方案。德國Curmilk公司研制的高導熱性覆銅陶瓷板，由陶瓷基板(AlN或 )和導電層(Cu)在高溫高壓下燒結(jié)而成，沒有使用黏結(jié)劑，因此導熱性能好、強度高、絕緣性強，如圖2(b)所示。其中氮化鋁(AlN)的熱導率為160W/mk，熱膨脹系數(shù)為 (與硅的熱膨脹系數(shù)相當)，從而降低了封裝熱應力。

　　研究表明，封裝界面對熱阻影響也很大，如果不能正確處理界面，就難以獲得良好的散熱效果。例如，室溫下接觸良好的界面在高溫下可能存在界面間隙，基板的翹曲也可能會影響鍵合和局部的散熱。改善LED封裝的關(guān)鍵在于減少界面和界面接觸熱阻，增強散熱。因此，芯片和散熱基板間的熱界面材料(TIM)選擇十分重要。LED封裝常用的TIM為導電膠和導熱膠，由于熱導率較低，一般為0、5-2、5W/mK，致使界面熱阻很高。而采用低溫或共晶焊料、焊膏或者內(nèi)摻納米顆粒的導電膠作為熱界面材料，可大大降低界面熱阻。

　　二、高取光率封裝結(jié)構(gòu)與工藝

　　在LED使用過程中，輻射復合產(chǎn)生的光子在向外發(fā)射時產(chǎn)生的損失，主要包括三個方面：芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷以及材料的吸收;光子在出射界面由于折射率差引起的反射損失;以及由于入射角大于全反射臨界角而引起的全反射損失。因此，很多光線無法從芯片中出射到外部。通過在芯片表面涂覆一層折射率相對較高的透明膠層(灌封膠)，由于該膠層處于芯片和空氣之間，從而有效減少了光子在界面的損失，提高了取光效率。此外，灌封膠的作用還包括對芯片進行機械保護，應力釋放，并作為一種光導結(jié)構(gòu)。因此，要求其透光率高，折射率高，熱穩(wěn)定性好，流動性好，易于噴涂。為提高LED封裝的可靠性，還要求灌封膠具有低吸濕性、低應力、耐老化等特性。目前常用的灌封膠包括環(huán)氧樹脂和硅膠。硅膠由于具有透光率高，折射率大，熱穩(wěn)定性好，應力小，吸濕性低等特點，明顯優(yōu)于環(huán)氧樹脂，在大功率LED封裝中得到廣泛應用，但成本較高。研究表明，提高硅膠折射率可有效減少折射率物理屏障帶來的光子損失，提高外量子效率，但硅膠性能受環(huán)境溫度影響較大。隨著溫度升高，硅膠內(nèi)部的熱應力加大，導致硅膠的折射率降低，從而影響LED光效和光強分布。

　　熒光粉的作用在于光色復合，形成白光。其特性主要包括粒度、形狀、發(fā)光效率、轉(zhuǎn)換效率、穩(wěn)定性(熱和化學)等，其中，發(fā)光效率和轉(zhuǎn)換效率是關(guān)鍵。研究表明，隨著溫度上升，熒光粉量子效率降低，出光減少，輻射波長也會發(fā)生變化，從而引起白光LED色溫、色度的變化，較高的溫度還會加速熒光粉的老化。原因在于熒光粉涂層是由環(huán)氧或硅膠與熒光粉調(diào)配而成，散熱性能較差，當受到紫光或紫外光的輻射時，易發(fā)生溫度猝滅和老化，使發(fā)光效率降低。此外，高溫下灌封膠和熒光粉的熱穩(wěn)定性也存在問題。由于常用熒光粉尺寸在1um以上，折射率大于或等于1、85，而硅膠折射率一般在1、5左右。由于兩者間折射率的不匹配，以及熒光粉顆粒尺寸遠大于光散射極限(30nm)，因而在熒光粉顆粒表面存在光散射，降低了出光效率。通過在硅膠中摻入納米熒光粉，可使折射率提高到1、8以上，降低光散射，提高LED出光效率(10%-20%)，并能有效改善光色質(zhì)量。

　　傳統(tǒng)的熒光粉涂敷方式是將熒光粉與灌封膠混合，然后點涂在芯片上。由于無法對熒光粉的涂敷厚度和形狀進行精確控制，導致出射光色彩不一致，出現(xiàn)偏藍光或者偏黃光。而Lumileds公司開發(fā)的保形涂層(Conformal coating)技術(shù)可實現(xiàn)熒光粉的均勻涂覆，保障了光色的均勻性，如圖3(b)。但研究表明，當熒光粉直接涂覆在芯片表面時，由于光散射的存在，出光效率較低。有鑒于此，美國Rensselaer 研究所提出了一種光子散射萃取工藝(Scattered Photon Extraction method，SPE)，通過在芯片表面布置一個聚焦透鏡，并將含熒光粉的玻璃片置于距芯片一定位置，不僅提高了器件可靠性，而且大大提高了光效(60%)，如圖3(c)。

　　總體而言，為提高LED的出光效率和可靠性，封裝膠層有逐漸被高折射率透明玻璃或微晶玻璃等取代的趨勢，通過將熒光粉內(nèi)摻或外涂于玻璃表面，不僅提高了熒光粉的均勻度，而且提高了封裝效率。此外，減少LED出光方向的光學界面數(shù)，也是提高出光效率的有效措施。

　　三、陣列封裝與系統(tǒng)集成技術(shù)

　　經(jīng)過40多年的發(fā)展，LED封裝技術(shù)和結(jié)構(gòu)先后經(jīng)歷了四個階段，如圖4所示。

　　1、引腳式(Lamp)LED封裝

　　引腳式封裝就是常用的 3-5mm封裝結(jié)構(gòu)。一般用于電流較小(20-30mA)，功率較低(小于0、1W)的LED封裝。主要用于儀表顯示或指示，大規(guī)模集成時也可作為顯示屏。其缺點在于封裝熱阻較大(一般高于100K/W)，壽命較短。

　　2、表面組裝(貼片)式(SMT-LED)封裝

　　表面組裝技術(shù)(SMT)是一種可以直接將封裝好的器件貼、焊到PCB表面指定位置上的一種封裝技術(shù)。具體而言，就是用特定的工具或設(shè)備將芯片引腳對準預先涂覆了粘接劑和焊膏的焊盤圖形上，然后直接貼裝到未鉆安裝孔的PCB 表面上，經(jīng)過波峰焊或再流焊后，使器件和電路之間建立可靠的機械和電氣連接。SMT技術(shù)具有可靠性高、高頻特性好、易于實現(xiàn)自動化等優(yōu)點，是電子行業(yè)最流行的一種封裝技術(shù)和工藝。

　　3、板上芯片直裝式(COB)LED封裝

　　COB是Chip On Board(板上芯片直裝)的英文縮寫，是一種通過粘膠劑或焊料將LED芯片直接粘貼到PCB板上，再通過引線鍵合實現(xiàn)芯片與PCB板間電互連的封裝技術(shù)。PCB板可以是低成本的FR-4材料(玻璃纖維增強的環(huán)氧樹脂)，也可以是高熱導的金屬基或陶瓷基復合材料(如鋁基板或覆銅陶瓷基板等)。而引線鍵合可采用高溫下的熱超聲鍵合(金絲球焊)和常溫下的超聲波鍵合(鋁劈刀焊接)。COB技術(shù)主要用于大功率多芯片陣列的LED封裝，同SMT相比，不僅大大提高了封裝功率密度，而且降低了封裝熱阻(一般為6-12W/m、K)。

　　4、系統(tǒng)封裝式(SiP)LED封裝

　　SiP(System in Package)是近幾年來為適應整機的便攜式發(fā)展和系統(tǒng)小型化的要求，在系統(tǒng)芯片System on Chip(SOC)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型封裝集成方式。對SiP-LED而言，不僅可以在一個封裝內(nèi)組裝多個發(fā)光芯片，還可以將各種不同類型的器件(如電源、控制電路、光學微結(jié)構(gòu)、傳感器等)集成在一起，構(gòu)建成一個更為復雜的、完整的系統(tǒng)。同其他封裝結(jié)構(gòu)相比，SiP具有工藝兼容性好(可利用已有的電子封裝材料和工藝)，集成度高，成本低，可提供更多新功能，易于分塊測試，開發(fā)周期短等優(yōu)點。按照技術(shù)類型不同，SiP可分為四種：芯片層疊型，模組型，MCM型和三維(3D)封裝型。

　　目前，高亮度LED器件要代替白熾燈以及高壓汞燈，必須提高總的光通量，或者說可以利用的光通量。而光通量的增加可以通過提高集成度、加大電流密度、使用大尺寸芯片等措施來實現(xiàn)。而這些都會增加LED的功率密度，如散熱不良，將導致LED芯片的結(jié)溫升高，從而直接影響LED器件的性能(如發(fā)光效率降低、出射光發(fā)生紅移，壽命降低等)。多芯片陣列封裝是目前獲得高光通量的一個最可行的方案，但是LED陣列封裝的密度受限于價格、可用的空間、電氣連接，特別是散熱等問題。由于發(fā)光芯片的高密度集成，散熱基板上的溫度很高，必須采用有效的熱沉結(jié)構(gòu)和合適的封裝工藝。常用的熱沉結(jié)構(gòu)分為被動和主動散熱。被動散熱一般選用具有高肋化系數(shù)的翅片，通過翅片和空氣間的自然對流將熱量耗散到環(huán)境中。該方案結(jié)構(gòu)簡單，可靠性高，但由于自然對流換熱系數(shù)較低，只適合于功率密度較低，集成度不高的情況。對于大功率LED封裝，則必須采用主動散熱，如翅片+風扇、熱管、液體強迫對流、微通道致冷、相變致冷等。

　　在系統(tǒng)集成方面，臺灣新強光電公司采用系統(tǒng)封裝技術(shù)(SiP)， 并通過翅片+熱管的方式搭配高效能散熱模塊，研制出了72W、80W的高亮度白光LED光源，如圖5(a)。由于封裝熱阻較低(4、38℃/W)，當環(huán)境溫度為25℃時，LED結(jié)溫控制在60℃以下，從而確保了LED的使用壽命和良好的發(fā)光性能。而華中科技大學則采用COB封裝和微噴主動散熱技術(shù)，封裝出了220W和1500W的超大功率LED白光光源，如圖5(b)。

　四、封裝大生產(chǎn)技術(shù)

　　晶片鍵合(Wafer bonding)技術(shù)是指芯片結(jié)構(gòu)和電路的制作、封裝都在晶片(Wafer)上進行，封裝完成后再進行切割，形成單個的芯片(Chip);與之相對應的芯片鍵合(Die bonding)是指芯片結(jié)構(gòu)和電路在晶片上完成后，即進行切割形成芯片(Die)，然后對單個芯片進行封裝(類似現(xiàn)在的LED封裝工藝)，如圖6所示。很明顯，晶片鍵合封裝的效率和質(zhì)量更高。由于封裝費用在LED器件制造成本中占了很大比例，因此，改變現(xiàn)有的LED封裝形式(從芯片鍵合到晶片鍵合)，將大大降低封裝制造成本。此外，晶片鍵合封裝還可以提高LED器件生產(chǎn)的潔凈度，防止鍵合前的劃片、分片工藝對器件結(jié)構(gòu)的破壞，提高封裝成品率和可靠性，因而是一種降低封裝成本的有效手段。

　

　　此外，對于大功率LED封裝，必須在芯片設(shè)計和封裝設(shè)計過程中，盡可能采用工藝較少的封裝形式(Package-less Packaging)，同時簡化封裝結(jié)構(gòu)，盡可能減少熱學和光學界面數(shù)，以降低封裝熱阻，提高出光效率。

　　五、封裝可靠性測試與評估

　　LED器件的失效模式主要包括電失效(如短路或斷路)、光失效(如高溫導致的灌封膠黃化、光學性能劣化等)和機械失效(如引線斷裂，脫焊等)，而這些因素都與封裝結(jié)構(gòu)和工藝有關(guān)。LED的使用壽命以平均失效時間(MTTF)來定義，對于照明用途，一般指LED的輸出光通量衰減為初始的70%(對顯示用途一般定義為初始值的50%)的使用時間。由于LED壽命長，通常采取加速環(huán)境試驗的方法進行可靠性測試與*估。測試內(nèi)容主要包括高溫儲存(100℃，1000h)、低溫儲存(-55℃，1000h)、高溫高濕(85℃/85%，1000h)、高低溫循環(huán)(85℃～-55℃)、熱沖擊、耐腐蝕性、抗溶性、機械沖擊等。然而，加速環(huán)境試驗只是問題的一個方面，對LED壽命的預測機理和方法的研究仍是有待研究的難題。